Plasma Technology  

SEM

Courtesy of the RWTH Aachen
Institut für Halbleitertechnik II:
Rate 110 nm/ min
Trilevel Resist Mask
Anisotropic, residue free etch
smooth walls
aspect ratio: 5 - 10

SiGe RIE Etching, Si/ SiGe/ Si Heterostructures


Courtesy of the Ruhr University Bochum
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente:

Signal from the Laser interferometer


Plasmalab System 100
with vacuum loadlock


SEM

Courtesy of the Ruhr University Bochum
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente:
Anisotropic F Etching into a
Si / SiGe / Si Heterostructure
Rate ca 100 nm / min
0.5 µm deep
photoresist mask removed

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